收錄情況：

期刊榮譽(yù)：

研究快報、研究論文、綜合評述、封面圖片

1、Bridgman法晶體生長技術(shù)的研究進(jìn)展介萬奇;

2、Si82籠狀分子的第一性原理研究汪雷;楊德仁;

3、化學(xué)氣相沉積法制備ZnSe微球王丹;李煥勇;介萬奇;

4、紫外低吸收YAl_3(BO_3)_4晶體生長陳嘯;劉華;葉寧;

5、熱交換法生長c面取向大尺寸藍(lán)寶石晶體的研究張雪平;

6、K_2Al_2B_2O_7晶體四倍頻特性理論研究翟乃霞;王桂玲;

7、硅異質(zhì)結(jié)電池界面處理關(guān)鍵工藝的研究王楠;張瑜;周玉琴;

8、分離結(jié)晶過程中氣液界面形狀及穩(wěn)定性李震;彭嵐;李友榮;

9、氧化性在硅太陽電池織構(gòu)中的作用李國榮;周玉琴;劉豐珍;

10、結(jié)構(gòu)缺陷對HgI_2晶體光吸收的影響許崗;李高宏;介萬奇;

11、InAs納米顆粒的制備及性能表征梁建;王玉;趙君芙;馬淑芳;

12、石英晶體中的腐蝕隧道缺陷李法薈;李建保;華大辰;王曉剛;

13、共蒸發(fā)三步法制備CIGS薄膜的相變過程劉芳芳;張力;何青;

14、CVT一步生長的ZnSe單晶的光電特性研究李寒松;李煥勇;

15、KDP晶體缺陷對生長應(yīng)力分布的影響袁方方;葛培琪;高玉飛;

16、Nd3+摻雜Lu_2O_3透明陶瓷的制備和光學(xué)性能周鼎;施鷹;徐家躍;

17、cBN合成塊斷口形貌觀察及XRD分層表征李森;郭曉斐;許斌;王豪;

18、微波水熱法合成硅酸釔納米晶許斌生;曹麗云;黃劍鋒;王靈靈;夏昌奎;

19、基于X射線sin2φ法的擇優(yōu)取向金剛石膜殘余應(yīng)力分析李曉偉;常明;

20、Ce摻雜ZnO納米晶的光催化性能研究汪應(yīng)靈;謝友海;薛載坤;劉國光;

21、往復(fù)式電鍍金剛石線鋸切割單晶硅片特性研究高玉飛;葛培琪;李紹杰;

22、MgO摻雜LKNN無鉛壓電陶瓷的致密化燒結(jié)李海濤;張波萍;張倩;趙斌;

23、開放體系優(yōu)化ZnSe多晶原料化學(xué)計量比余文濤;李煥勇;介萬奇;劉正堂;

24、水熱法制備BiFeO_3粉體的相變研究李波;孫華君;陳文;張成勇;沈杰;周靜;

25、寬溫區(qū)內(nèi)ZnO納米線的CVD可控生長方法研究馬可;賀永寧;張松昌;劉衛(wèi)華;

26、溫度對快速熱退火制備多晶硅薄膜結(jié)構(gòu)與電學(xué)性能的影響張磊;沈鴻烈;尤佳毅;

27、Li0.067Na0.933TbMoO42磁光晶體的生長與磁光性能郭飛云;莊乃鋒;趙斌;陳建中;

28、溶膠-凝膠法制備Mg摻雜ZnO薄膜的微結(jié)構(gòu)與光學(xué)性質(zhì)黃凱;呂建國;劉先松;唐震;

29、直流弧光放電PCVD金剛石膜制備中基底控溫系統(tǒng)的研制與應(yīng)用張湘輝;汪靈;龍劍平;

30、靜電自組裝制備鑭摻雜高嶺石基納米TiO_2光催化材料研究王程;施惠生;李艷;杜國強(qiáng);

1、文章標(biāo)題要簡短，能概括中心思想，一般不超過20個漢字，必要時加副標(biāo)題

2、正文應(yīng)層次清楚，行文規(guī)范，方便閱讀，字?jǐn)?shù)一般以2500-8000字為宜，重要稿件可不受此限制

3、題目下面均應(yīng)寫作者姓名、單位名稱、所在城市、郵編，多位作者分別列出上述信息

4、來稿必須附有100-300字的內(nèi)容摘要和3－5個關(guān)鍵詞

5、如文章獲得基金項目資助，以[基金項目]作為標(biāo)識，并注明基金項目名稱和編號

6、正文中圖表主要是文字難以表達(dá)清楚的內(nèi)容，圖表應(yīng)設(shè)計合理，先后分別給出圖表序號

7、來稿請注明姓名、性別、籍貫、出生年月、學(xué)歷、職稱、工作單位、聯(lián)系電話、詳細(xì)郵寄地址

8、編輯部有權(quán)對稿件進(jìn)行修刪，不同意請在稿件中聲明

9、請勿一稿多投，發(fā)現(xiàn)一稿多投者，一切不良后果由作者承擔(dān)

10、若不能被錄用，恕不退稿，請作者自留底稿，不同意上述稿件處理方式的作者請轉(zhuǎn)投他刊

11、本站并非人工晶體學(xué)報雜志社和人工晶體學(xué)報編輯部官方網(wǎng)站

地  址：北京市朝陽區(qū)東壩紅松園1號

郵政編碼：100018