《半導體技術》(月刊)創刊于1976年,是由信息產業部主管,中國半導體行業協會、半導體專業情報網、中電科技集團公司十三所主辦,業內權威的國家一級刊物之一。它以嚴謹風格,權威著述,在業內深孚眾望,享譽中外,對我國半導體事業的發展發揮了積極作用。“向讀者提供更好資訊,為客戶開拓更大市場”,是《半導體技術》的追求,本刊一如既往地堅持客戶至上,服務第一,竭誠向讀者提供多元化的信息。
《半導體技術》《半導體技術》是中文核心期刊、中國科學引文數據庫來源期刊、中國期刊網、中國學術期刊(光盤版)全文收錄期刊、美國《劍橋科學文摘》、英國《SA,INSPEC》、和俄羅斯《AJ》來源期刊、中國學術期刊綜合評價數據庫來源期刊、中國科技論文統計源期刊,河北省優秀期刊。
北大期刊(中國人文社會科學期刊)、 統計源期刊(中國科技論文優秀期刊)、 知網收錄(中)、 維普收錄(中)、 萬方收錄(中)、 CA 化學文摘(美)、 SA 科學文摘(英)、 JST 日本科學技術振興機構數據庫(日)、 Pж(AJ) 文摘雜志(俄)、 劍橋科學文摘、 國家圖書館館藏、 上海圖書館館藏、
趨勢與展望、半導體集成電路、半導體器件、半導體制備技術、先進封裝技術
基于AD7150微位移電容傳感器的研究黃林,陳向東,謝寧寧,李曉鈺
LED熱學性能測試方法的研究綜述黃元昊,楊連喬,張建華
GaAs10bitDAC的抗輻射設計和實驗田國平,吳洪江,朱思成
一種高效時鐘樹綜合實現方法鄧堯之,萬培元,劉世勛,林平分
高密度集成與單芯片多核系統及其研究進展李東生,高明倫
固態微波毫米波、太赫茲器件與電路的新進展(續)趙正平
固態微波毫米波、太赫茲器件與電路的新進展趙正平
GaN薄膜的橢偏光譜研究余養菁,張斌恩,李孔翌,姜偉,李書平,康俊勇
甚短距離光互連模塊技術的發展動態李言勝,吉愛國,聶廷遠
小型化三維發夾型LTCC寬帶帶通濾波器趙永志,王紹東,吳洪江
堿性Cu化學機械拋光液性能研究何彥剛,王家喜,甘小偉,李偉娟,劉玉嶺
IGBT關斷瞬態電壓尖峰影響及抑制汪波,胡安,陳明,唐勇
Ta2O5高k介電薄膜的制備及其電學性質的研究陳勇躍,程佩紅,黃仕華
表面注入D-RESURF器件耐壓模型李琦,王衛東,張楊,張法碧
大功率激光器陣列光場分布測試方法的研究王曉燕,沈牧,任永學,程義濤
基本周期對一維復周期光子晶體禁帶的影響程陽
GaN基板上超薄陽極氧化鋁的制備王新中,于廣輝,李世國
InP單晶的磁光和熱電效應潘靜,李曉嵐,楊瑞霞,孫聶楓
NPB厚度對堆疊式白光OLED性能的影響劉丁菡,張方輝,閻洪剛,蔣謙
濕熱對PoP封裝可靠性影響的研究劉海龍,楊少華,李國元
LED受ESD沖擊前后性能的變化分析陸海泉,李抒智,楊衛橋,嚴偉
輻照對PDSOIRFMOS體接觸結構器件性能的影響劉夢新,劉剛,韓鄭生
低壓力Cu布線CMP速率的研究劉海曉,劉玉嶺,劉效巖,李暉,王辰偉
模-數-差信號發生器的設計與實現寧敏東,寧寧,王松德,張栓記
AAO模板的濕法刻蝕研究胡國鋒,張海明,邸文文,李育潔,高波,朱彥君
ZnO:Ga透明電極LED的制備及性能分析王書方,張建華,李喜峰
基于表面勢的HEMT模型分析呂彬義,孫玲玲,孔月嬋,陳辰,劉軍,陳磊
單晶Si太陽能電池工藝仿真與性能分析孫玲,羅向東,常志強
InGaAs/InP材料的MOCVD生長研究劉英斌,林琳,陳宏泰,趙潤,鄭曉光
讀卡器末級功率放大器的設計與實現南敬昌,梁立明,劉影
1、文章標題要簡短,能概括中心思想,一般不超過20個漢字,必要時加副標題
2、正文應層次清楚,行文規范,方便閱讀,字數一般以2500-8000字為宜,重要稿件可不受此限制
3、題目下面均應寫作者姓名、單位名稱、所在城市、郵編,多位作者分別列出上述信息
4、來稿必須附有100-300字的內容摘要和3-5個關鍵詞
5、如文章獲得基金項目資助,以[基金項目]作為標識,并注明基金項目名稱和編號
6、正文中圖表主要是文字難以表達清楚的內容,圖表應設計合理,先后分別給出圖表序號
7、來稿請注明姓名、性別、籍貫、出生年月、學歷、職稱、工作單位、聯系電話、詳細郵寄地址
8、編輯部有權對稿件進行修刪,不同意請在稿件中聲明
9、請勿一稿多投,發現一稿多投者,一切不良后果由作者承擔
10、若不能被錄用,恕不退稿,請作者自留底稿,不同意上述稿件處理方式的作者請轉投他刊
11、本站并非半導體技術雜志社和半導體技術編輯部官方網站
地 址:石家莊市合作路113號
郵政編碼:50051
若用戶需要出版服務,請聯系出版商,地址:石家莊市合作路113號,郵編:50051。